近日，我院龙腊生教授、赵海霞博士课题组在分子基磁电薄膜研究方向取得新进展，文章以“Room-Temperature Magnetoelectric Coupling in Electronic Ferroelectric Film based on [(n-C3H7)4N][FeIIIFeII(dto)3] (dto = C2O2S2)”为题发表于《美国化学会志》(J. Am. Chem. Soc. 2021, DOI: 10.1021/jacs.1c00601)。
磁电材料由于具有磁极化和电极化双重特征，并且磁/电互控，因此在能量传感、信息存储等领域具有广阔的应用前景。为了满足功能器件低功耗、高密度、集成化的发展要求，磁电材料薄膜的开发十分重要，是实现其应用的关键环节之一。
龙腊生教授课题组利用分子基材料的优势，基于电子转移化合物[(n-C3H7)4N][FeIIIFeII(dto)3] (dto = C2O2S2)巧妙的设计了电子铁电体薄膜，仅在室温800 Oe的磁场下就观察到了铁电畴的重新分布。该工作的创新之处在于：(1) 从低温50 K~室温，电子运动诱发的铁电极化始终存在。(2) 利用化合物的二维结构特征，制备了择优取向的薄膜样品，表征了铁电各向异性，为器件的制备提供了基础。(3) 800 Oe磁场下，铁电畴重新分布，展现出强烈的室温磁电耦合效应。
该工作为在室温下实现磁场控制电极化提供了一种有效的策略。这为磁电耦合进一步发展提供了良好开端，对于构建新型器件具有重要的指导意义。
该研究工作由我院龙腊生教授和赵海霞博士共同指导完成，2018级博士研究生刘晓林和王宾为共同第一作者，物理科学与技术学院董新伟老师为共同通讯作者。研究工作得到了国家自然科学基金（项目批准号：92061107、21431005、21571150）和中央高校基本科研业务费（项目批准号：20720180030）等项目的资助。
论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.1c00601
