去硅羟基化抑制缺陷与杂质相的形成提升介孔硅限域的钙钛矿纳米晶荧光效率

发布日期:2024-02-29     浏览次数:次   

近日,我院陈曦教授课题组与材料学院解荣军教授课题组合作提出通过去羟基化高效提升介孔硅限域的钙钛矿纳米晶发光效率的策略。相关成果以Photoluminescence Enhancement in Silica-Confined Ligand-Free Perovskite Nanocrystals by Suppression of Silanol-Induced Traps and Phase Impurities为题发表在Angewandte Chemie International EditionDOI: 10.1002/anie.202402520)。

微納尺度的温度传感在环境、医学诊断、工业生产和基础科学研究等领域,受到人们的普遍关注。其中寻找或设计合适的温度传感材料十分重要。近年来铅卤钙钛矿纳米晶(LHP NCs)以其优异的光学性能受到科研界和产业界的共同关注。LHP NCs的缺陷容忍性质使介孔限域无配体的合成方法成为其最具特色的一类合成方法。在介孔限域无配体的合成法中,介孔硅是最为常用的限域模板。然而,在该合成方法中利用不同的介孔硅模板限域生长的LHP NCs发光性能存在着较大的差异,这表明除了孔径大小外,其他的关键因素仍未得到较好的认识和控制,严重阻碍了介孔硅限域的LHP NCs产业化制备及应用。

鉴于此,研究团队深入研究了介孔硅界面处最本质的硅羟基活性基团对CsPbBr3 NCs的限域生长及其发光性能的影响,揭示了在限域生长CsPbBr3 NCs的过程中由于硅羟基的吸附作用造成大量的CsBr缺陷,同时伴随着CsPb2Br5杂质相的生成。通过去硅羟基化能够有效抑制深层缺陷和杂质相的形成,显著提升介孔硅限域的LHP NCs的荧光量子效率(最高可提升160倍)。研究成果为制备高质量的无配体型LHP NCs提供新视角和参考依据。

该研究工作由我院陈曦教授和材料学院解荣军教授指导下完成,2017级博士生黄艺鹏为论文第一作者。该论文得到国家自然科学基金促进海峡两岸科技合作联合基金U2005212支持。


论文链接:https://doi.org/10.1002/anie.202402520

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