室温低场条件下的磁介电效应材料对于新一代器件（如谐振电容器及数据存储的电容式读出磁头等）开发至关重要。近日，我院赵海霞博士及龙腊生教授课题组通过设计合成镍离子掺杂的金属-有机框架化合物(MOF)[NH2(CH3)2]n[FeIIIFeII(1-x)NiIIx(HCOO)6]n (x » 0.63-0.69)，获得了0.1 T磁场下及300-410 K温度范围内磁介电耦合系数可达到-20% ～ -24%磁介电效应材料。这是迄今为止首例室温低场磁介电MOF材料。相关研究成果以“Giant Room-Temperature Magnetodielectric Response in a MOF at 0.1 Tesla”为题在线发表于 Adv. Mater.上（Adv. Mater., 2017, DOI:10.1002/adma.201702512）。
具有介电、铁电及磁电耦合效应的化合物设计合成是该课题组重要研究方向之一。迄今为止，该课题组在化合物介电、铁电及磁电耦合方面发表了系列研究论文，包括Proc. Natl. Acad. Sci. USA (2011, 108, 3481-3486)，Angew. Chem. Int. Ed. (2013, 52, 12602 –12605), Chem. Commun. (2012, 48, 4875–4877), Appl. Phys. Lett. (2017, 110, 192902)，J. Mater. Chem. A (2015, 3, 12616-12620), J. Phys. Chem. C (2012, 116, 14199-14204) 等。
该工作是在赵海霞博士和龙腊生教授共同指导下完成的，硕士研究生陈丽虹和博士研究生郭江彬作为共同第一作者。该工作得到国家自然科学基金委重点项目 (21431005)、重大项目 (21390391) 和科技部973项目 (2014CB84561) 的资助。
论文链接：http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201702512/full
